尼康正在其2025财年第三财季财报演示文稿中揭破，正与团结伙伴合伙开辟一款兼容ASML主导的浸没式ArF（ArFi）光刻生态的新型光刻机，估计于2028财年推出。

　　尼康以为，跟着DRAM内存和逻辑半导体向三维成长，浸没式ArF光刻需求将赓续延长。为吸引更多客户，尼康策划使新筑设与ASML的同类筑设生态兼容，利便用户从ASML平台转移至尼康平台。此举旨正在晋升尼康正在环球光刻机商场的份额，特殊是正在浸没式ArF规模。

　　正在 193nm 波长光源的干式光刻机时间，尼康和佳能处于当先位子。然而正在思考下一代光源时，尼康和佳能以为开辟 154nm 波长的光源更可行，而台积电正在这时提出了一种全新本事思绪，即正在晶圆前加水，愚弄水的折射特色来缩短光泽波长以抬高离别率。

　　面临台积电提出的浸润式计划，尼康没有采用，而是选取络续沿着154nm 光源的倾向研发。这是由于此前尼康正在154nm 波长光源的研发上加入了大宗资源和精神，倘若放弃意味着前期的加入将付诸东流。同时，尼康也操心这种新本事正在实质操纵中见面对诸如光学体例安排难度大、水介质对光刻经过的牢固性和一概性影响难以节造、与现有光刻工艺和资料的兼容性题目等本事寻事，相反，络续正在相对熟习的波长光源本事前实行鼎新危急相对较低。

　　2004年，ASML与台积电团结推出了全国上第一台浸润式光刻机ArFi，往后商场份额一齐狂飙，目前正在浸没式 ArF 光刻规模，ASML 依靠其成熟的 TWINSCAN 双工件台本事牢牢负责着九成以上的商场份额 。而尼康和佳能被迫放弃154nm光源咨议转而跟进浸润式光刻机开辟，但已掉队ASML。

　　2024 年，尼康推出 NSR-S636E 浸润式 ArF 光刻机，是尼康光刻体例中坐蓐率最高的产物。这款光刻机采用巩固型iAS安排，可用于高精度衡量、圆翘曲和畸变校正，重叠精度(MMO)更高，号称不堪过2.1纳米；离别率幼于38纳米，镜头孔径1.35，曝光面积为26x33毫米。比拟如今型号，它的团体坐蓐恶果可抬高10-15％，创下尼康光刻筑设的新高，每幼时可坐蓐280片晶圆，停机年华也更短。

　　据悉，这款光刻机应用的光源本事是20世纪90年代就曾经成熟的“i-line”，再加上闭系零件、本事的成熟化，价值将比竞品低贱20-30％摆布。正在不损失坐蓐恶果的条件下，这款光刻机还可正在必要高重叠精度的半导体筑造中供给更高的本能，特别是优秀逻辑和內存、CMOS图像传感器、3D闪存等3D半导体筑造。

　　这里值得一提的是纳米压印本事（NIL），无需 EUV 就能筑造 5 纳米芯片。该项本事不应用光泽或者辐照使光刻胶感光成形，而是直接正在硅衬底或者其他衬底上愚弄物理用意机理构造纳米尺寸图形。凭据如今公然消息，其加工精度曾经到达2纳米，胜过了古代光刻本事到达的离别率。与 EUV 光刻庞大的光学体例和工艺比拟，纳米压印本事通过好像 “盖印” 的式样，能正在单次操作中实行庞大图案转印，大大简化了筑造经过。

　　更为厉重的是，纳米压印光刻工艺的本钱仅为极紫表光刻的 10% 摆布，能耗也仅为极紫表光刻的 10%，筑设投资本钱可降至原始 EUV 光刻机的 40%。

　　目前，佳能量产的 FPA-1200NZ2C 纳米压印光刻体例可用于坐蓐 5nm 芯片，SK海力士从佳能引进了纳米压印筑设，策划正在2025年摆布应用该筑设开端量产3D NAND闪存。

　　别的，尼康此前还揭橥正正在研发首款后端工艺用光刻机，离别率为 1μm，估计正在2026财年发售。

　　这款后端数字光刻机将半导体光刻机代表性的高离别率本事同显示家当所用 FPD 曝光筑设的多透镜组本事相调解。其曝光经过无需应用掩膜，而是愚弄 SLM（空间光调造器）来天生所安排的电途图案，从光源发出的光经 SLM 反射后通过透镜光学组，最终正在基板上成像。尼康传扬相较于古代的有掩膜工艺，这款新筑设可同时裁减后端工艺的本钱和用时。

　　跟着数据核心AI芯片用量的持续晋升，正在以 Chiplet 芯粒本事为代表的优秀封装规模显露了对基于玻璃面板的 PLP 封装本事日益延长的需求，离别率高且曝光面积大的后端光刻机也愈发不成或缺。