TTL电道以双极型晶体管（三极管）为开合元件，因而又称双极型集成电道。双极型数字集成电道是诈欺电子和空穴两种差别极性的载流子举办电传导的器件。

　　依照利用周围的差别，它分为54系列和74系列，前者为军品，寻常工业装备和消费类电子产物多用后者。

　　74系列数字集成电道是国际上通用的圭臬电道。其种类分为六大类：74（圭臬）、74S（肖特基）、74LS××（低功耗肖特基）、74AS××（优秀肖特基）、74ALS××（优秀低功耗肖特基）、74F××（高速）、其逻辑效力一律相通。

　　它的要紧甜头是输入阻抗高、功耗低、抗骚扰才能强且适合大范畴集成。极端是其主导产物CMOS集成电道有着非常的甜头，如静态功耗简直为零，输出逻辑电平可为VDD或VSS，上升和降落年华处于同数目级等，于是CMOS集成电道产物已成为集成电道的主流之一。

　　其种类网罗4000系列的CMOS电道以及74系列的高速CMOS电道。此中74系列的高速CMOS电道又分为三大类：HC为CMOS使命电平；HCT为TTL使命电平（它可与74LS系列相易运用）；HCU合用于无缓冲级的CMOS电道。74系列高速CMOS电道的逻辑效力和引脚陈设与相应的74LS系列的种类相通，使命速率也相当高，功耗大为低重。

　　74系列能够说是咱们闲居接触的最多的芯片，74系列平分为良多种，而咱们闲居用得最多的应当是以下几种：74LS，74HC，74HCT这三种

　　别的，跟着推出BiCMOS集成电道，它归纳了双极和MOS集成电道的甜头，平凡双极型门电道的优点正正在慢慢消逝，少许一经占主导名望的TTL系列产物正正在慢慢退出商场。CMOS门电道一直改善工艺，正朝着高速、低耗、大驱动才能、低电源电压的宗旨进展。BiCMOS集成电道的输初学电道采用CMOS工艺，其输出端采用双极型推拉式输出办法，既拥有CMOS的上风，又拥有双极型的优点，已成为集成门电道的新宠。

　　跟着电源电压的加添，噪声容限电压的绝对值将成比例加添。对付VDD=15V的供电电压（当VSS=0V时），电道将有7V安排的噪声容限。

　　CMOS集成电道的输入端寻常都是由珍爱二极管和串联电阻组成的珍爱搜集，故比寻常场效应管的输入电阻稍幼，但正在寻常使命电压限度内，这些珍爱二极管均处于反向偏置形态，直流输入阻抗取决于这些二极管的揭发电流，常常处境下，等效输入阻抗高达103~1011?，因而CMOS集成电道简直不打发驱动电道的功率。

　　因为CMOS集成电道的功耗很低，内部发烧量少，并且，CMOS电途径道机合和电气参数都拥有对称性，正在温度情况爆发改观时，某些参数能起到自愿积累效率，于是CMOS集成电道的温度特征至极好。寻常陶瓷金属封装的电道，使命温度为-55 ~ +125℃；塑料封装的电道使命温度限度为-45 ~ +85℃。

　　要紧是受转移率的影响。以NPN管和NMOS为例，BJT中的转移率是体转移率，约莫为1350cm2/vs。NMOS中是半导体表观转移率，约莫正在400-600cm2/vs。因而BJT的跨导要高于MOS的，速率速于MOS。这也是NPN（NMOS）比PNP（PMOS）速的因为。

　　NPN比PNP速也是由于载流子转移率差别，NPN中的基区少子是电子，转移率大（1350安排）；PNP的基区少子是空穴（480安排）。因而同样的机合和尺寸的管子，NPN比PNP速。因而正在双极工艺中，是以作NPN管为主，PNP都是正在兼容的根本上做出来的。MOS工艺都是以N阱PSUB工艺为主，这种工艺可做寄生的PNP管，要做NPN管就倘若P阱NSUB工艺。

　　BJT是之因而叫bipolar，是由于基区中既存正在空穴又存正在电子，是两种载流子参预导电的；而MOS器件的反形层中惟有一种载流子参预导电。

　　但并不是由于两种载流子导电总的转移率就大了。并且处境可以适值相反。由于载流子的转移率是与温度和掺杂浓度相合的。半导体的掺杂浓度越高，转移率越幼。而正在BJT中，少子的转移率起要紧效率。

　　NPN管比PNP管速的因为是NPN的基子少子是电子，PNP的是空穴，电子的转移率比空穴大。NMOS比PMOS速也是这个因为。

　　而NPN比NMOS速的因为是NPN是体器件，其载流子的转移率是半导体内的转移率；NMOS是表观器件，其载流子的转移率是表观转移率（由于反形层是正在栅氧下的表观变成的）。而半导体的体转移率大于表观转移率。