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mos逻辑电平与非cmos电道cmos的电平程序-【CMOS逻辑电路】
发布时间:2025-03-23 00:21:14 来源:优游用户登录 作者:www.ub8.com

  芝能智芯出品 跟着功率器件需求正在分别运用场景中的急迅增加,简单资料的管理计划仍旧无法餍足电压和电流局限的一共哀求。 基于此,复合资料与立异架构逐步成为改革器件功能的闭节权术,氮化镓(GaN)依赖高电子迁徙率和开闭速率的上风,正在低功耗和局限高压运用中表现出庞大的比赛力

  正在泰克先辈半导体绽放尝试室,2024年8月份,咱们有幸见证了量芯微(GaN Power)新一代1200V氮化镓(GaN)功率器件的动态参数测试。量芯微行为环球首家得胜流片并泰克先辈半导体尝试室

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  【达明呆板人】即将亮相全体会 2024电子元器件博览会8号馆 8B19达明呆板人(上海)有限公司达明呆板人创立于 2016 年,总部位于中国台湾,是一家用心于研发、成立配合型呆板人与供给工业主动化管理计划的寰宇级厂商,为环球着名条记本成立商之一广达集团旗下子公司,享有集团庞大的市集与研发资源

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  2024 年 4 月 9 日,德国纽伦堡(国际嵌入式展)——AMD(超威,纳斯达克股票代码:AMD)今日揭晓扩展 AMD Versal 自符合片上体例( SoC)产物

  Transphorm颁布两款4引脚TO-247封装器件,针对高功率供职器、可再生能源、工业电力转换范畴扩展产物线

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  Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件, 帮力筹划、人为智能、能源和汽车电源体例杀青卓异的热功能和电气功能

  新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管,扩展Transphorm多样化的产物封装组合加利福尼亚州戈莱塔 – 2023 年 11 月 29 日 - 代表着下一代电源体例另日的,氮化镓

  Transphorm推出TOLL封装FET,将氮化镓定位为支柱高功率能耗人为智能运用的最佳器件

  三款新器件为SMD的高功率体例带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台上风,此类高功率体例需求正在高功率密度的景况下杀青更高的牢靠性和功能,并形成较低的热量加利福尼亚

  Transphorm氮化镓器件帮力DAH Solar(大恒能源)环球首个全集成化微型逆变器光伏体例

  利用更为先辈的 Transphorm氮化镓器件,使打破性的太阳能电池板体破例形更幼、更轻,且具有更高的功能和作用。加利福尼亚州戈莱塔 - 2023 年 10月 12日 - 新世代电力体例的另日,氮化镓(GaN)功率半导体的环球当先供应商Transphorm

  ROHM推出全新Power Stage IC:可取代Si MOSFET,器件体积裁汰99%

  近年来,为了杀青可连续进展的社会,对消费电子和工业修设的电源提出了更高的节能哀求。针对这种需求,GaN HEMT行为一种特别有帮于普及功率转换作用和杀青器件幼型化的器件被寄予厚望。正在此布景下,环球着名

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