金融界2024年12月5日新闻，国度学问产权局消息显示，意法半导体国际公司申请一项名为“用于拥有分辨栅极设备的沟槽功率MOSFET的栅极接触构造”的专利，公然号CN 119069525 A，申请日期为2024年5月。

　　专利摘要显示，本公然涉及用于拥有分辨栅极设备的沟槽功率MOSFET的栅极接触构造。集成电道晶体管器件席卷供应漏极的半导体衬底、半导体衬底中的供应源极的第一掺杂区域和掩埋正在半导体衬底中的供应主体的第二掺杂区域。沟槽延迟到半导体衬底中并穿过第一和第二掺杂区域。沟槽内的绝缘多晶硅栅极区域缠绕多晶氧化物区域。多晶硅栅极区域由多晶氧化物区域相对侧上的第一栅极凸角和第二栅极凸角以及多晶氧化物区域上的栅极桥变成。正在第一区域，栅极桥拥有第一厚度，正在第二区域，栅极桥拥有第二厚度(大于第一厚度)。正在第二区域处，正在每个沟槽处供应栅极接触以一面地延迟到栅极桥的第二厚度中。