工采网代办的电机驱动芯片 - SS8812T为打印机和其它电机一体化利用供给一种双通道集成电机驱动计划。SS8812T有两道H桥驱动，每个H桥可供给较大输出电流1.6A (正在24V和Ta=25C适宜散热前提下)，可驱动两个刷式直流电机，或者一个双极步进电机，或者螺线管或者其它感性负载

　　幼型封装内置第4代SiC MOSFET，完成业界超高功率密度，帮力xEV逆变器完成幼型化！

　　环球出名半导体创造商ROHM（总部位于日本京都会）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开采出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack”，共4款产物（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1

　　ROHM推出全新Power Stage IC：可代替Si MOSFET，器件体积省略99％

　　近年来，为了完成可赓续兴盛的社会，对消费电子和工业兴办的电源提出了更高的节能央浼。针对这种需求，GaN HEMT动作一种很是有帮于提升功率转换恶果和完成器件幼型化的器件被寄予厚望。正在此后台下，环球出名

　　安森美 （onsemi） M3S EliteSiC MOSFET 让车载充电器升级到 800V 电池架构

　　作家：安森美产物推行工程师Vladimir Halaj自电动汽车 （EV） 正在汽车市集站稳脚跟往后，电动汽车创造商平昔正在谋求更高功率的传动编造、更大的电池容量和更短的充电时辰。为满意客户需乞降延伸行驶里程，电动汽车创造商一贯加添车辆的电池容量

　　Nexperia推出首款采用SMD铜夹片LFPAK88封装的热插拔专用MOSFET（ASFET），管脚尺寸缩幼60％

　　RDS（on）分表低重40％，功率密度提升58倍，适合电信和热插拔揣测利用奈梅亨，2023年3月22日：底子半导体器件周围的高产能分娩专家Nexperia今日公布推出首批80 V和100 V热插拔专用

　　英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25－150V OptiMOS 源极底置功率MOSFET

　　【2023年01月13日，德国慕尼黑讯】来日电力电子编造的策画将赓续促进，以完成最高秤谌的功能和功率密度。为适合这一兴盛趋向，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX ／ OTCQX代码：IFNNY）推

　　Nexperia推出用于热插拔的全新特定型利用MOSFET （ASFET），SOA功能翻倍

　　统统优化12V热插拔和软启动利用中独揽浪涌电流的RDS（on）和SOA奈梅亨，2022年11月18日：底子半导体器件周围的高产能分娩专家Nexperia这日公布扩展其合用于热插拔和软启动的ASFET产物组合，推出10款统统优化的25V和30V器件

　　合用于热插拔的Nexperia新款特定利用MOSFET （ASFET）将SOA加添了166％，并将PCB占用空间减幼80％

　　（企业供图）新推出的80 V和100 V器件最大限造低重额定值，并革新均流，从而供给最佳功能、高牢靠性并低重编造本钱奈梅亨，2021年8月4日：底子半导体器件周围的专家Nexperia今日公布推出新款

　　Nexperia位于曼彻斯特的新8英寸晶圆分娩线启动，首批产物为行业当先的Qrr品德因数80 V／100 V MOSFET

　　更分娩线提升了产能，力争满意实时供应奈梅亨，2021年6月24日：底子半导体器件周围的专家Nexperia今日公布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆分娩线启动，首批产物运用最新的NextPower芯片技艺的低RDS（on）和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET

　　Nexperia新型40 V低RDS（on） MOSFET帮力汽车和工业利用完成更高功率密度

　　当先的SOA和雪崩性格提升了耐用性和牢靠性奈梅亨，2021年5月27日：底子半导体器件周围的专家Nexperia今日公布推出新型0．55 m? RDS（on） 40 V功率MOSFET，该器件采用高可