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金融界2025年1月17日讯息,国度学问产权局音讯显示,赛英特半导体本事(西安)有限公司博得一项名为“一种UIS测试电道及其MOSFET雪崩能量储积法子”的专利,授权通告号CN 110824325 B,申请日期为2019年11月。 天眼查材料显示,赛英特半导体本事(西安)有限公司,建立于2007年,位于西安市,是一家以从事科技执行和利用任职业为主的企业。企业注册血本1000万公民币,实缴血本1000万公民币。通过天眼查大数据阐发,赛英特半导体本事(西安)有限公司共对表投资了1家企业,到场招投标项目9次,学问产权方面有字号音讯2条,专利音讯16条,其余企业还具有行政许可9个。 上一篇:OSFET 下一篇:SFET |