SiC（碳化硅），仍然成为车企的一大卖点。而正在此前，有车企因是否全域采用SiC MOSFET，爆发激烈议论战。可见，SiC这一商场正在汽车范围颇有潜力。

　　不表，近几年国内SiC MOSFET发达飞速，成立了浩瀚产物，同时持续过车规，让人目炫纷乱。

　　是以咱们邀请到了浩瀚工程师，分享己方也曾接触过，或者从其他厂商中听到过的SiC产物，而且分享己方关于MOSFET选型时的少许心得，看看有没有心中的那一颗。

　　基础半导体的碳化硅MOSFET B2M系列产物备受工程师好评，它是一款可用于新能源汽车电机负责器的国产SiC产物。

　　其拥有卓越的高频、高压、高温功能，正在电力电子编造中运用碳化硅MOSFET器件取代守旧硅IGBT器件，可降低功率回道开闭频率，晋升编造服从及功率密度，消浸编造归纳本钱。基础半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台斥地，比上一代产物正在比导通电阻、开闭损耗以及牢靠性等方面显示更为精采。

　　据工程师评议，基础半导体的产物目前正在国内渗出率特别高。此中，汽车级SiC功率模块产线已竣工全数量产，目前年产能达25万只。

　　泰科天润的1200V 80mΩ SiC MOSFET也受到了EEWorld工程师的推举，该产物拥有更低的导通电阻，更低的开闭损耗，更高的开闭频率，更高的职责温度， Vth范例值越过3V。运用场景蕴涵，光伏、OBC、UPS及电机驱动等。

　　据工程师评论，泰科天润的产物线涉及根本中心技能产物、碳化硅成型产物以及多套行业治理计划。目前泰科天润的碳化硅器件650V/2A-100A，1200V/2A-50A，1700V/5A-50A，3300V/0.6A-50A等系列的产物仍然加入批量临蓐，产物德料齐备可能比肩国际同业业的进步秤谌。

　　比亚迪正在新能源时间无疑逐步成为王者，而正在SiC方面，其显示也特别强劲，以至有着“车圈Wolfspeed”的称谓。

　　从产物上面来看，工程师们都特别推举比亚迪半导体的碳化硅MOSFET BSKE040S120。据先容，比亚迪SiC功率器件包蕴单管和功率模组两种封装体式。单管产物运用于新能源汽车DC-DC转换模组及AC-DC双向逆变模组；模块产物运用于新能源汽车使电机驱动负责器体积大幅缩幼，整车功能正在现有根本上大幅晋升。

　　本年，比亚迪声称，比亚迪新修碳化硅工场将成为行业最大的工场，该工场将会正在本年下半年投产，产能范围环球第一，是第二名的十倍。同时，正在本年5月还公告，全新一代SiC功率模块采用了“环球创始”的叠层激光焊技能。代替了守旧的螺栓衔尾工艺，从而使得他们HPD模块的杂散电感大幅消浸75%，电控最高服从达99.86%，过流本事降低了10% ，竣工碳化硅功率模块功能全数跃升。

　　2023年7月10日，派恩杰揭晓1700V/1Ω SiC MOSFET 产物已告成运用于国内著名能源汽车企业的主驱逆变器辅帮电源项目，并得益该著名新能源车企订单。

　　2023年7月10日，纳芯微揭晓了他们的SiC MOSFET产物，全系列拥有1200V的耐压本事。该系列产物蕴涵四种规格的Rdson（Vgs=18V），区别为14/22/40/60mΩ，并谋划进程全数的车规级认证，以确保齐备适合汽车级运用的需求。

　　2024年3月8日，瞻芯电子揭晓斥地的三款第二代650V SiC MOSFET产物通过了苛峻的AEC-Q101车规级牢靠性认证。

　　2024年12月，昕感科技面向新能源范围推出一款重量级SiC MOSFET器件新产物（N2M120007PP0），竣工了业界当先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。新品基于车规级工艺平台，兼容18V栅压驱动。

　　其它，正在沟槽型SiC上，国内也有着新打破。本年9月，国度第三代半导体技能改进核心（南京）历经四年自帮研发，告成打破了沟槽型碳化硅MOSFET芯片修筑的枢纽技能，记号着我国正在这一范围竣工了初度强大打破。

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